nuovi MOSFET da Toshiba

Toshiba Electronics Europe (TEE) ha annunciato una nuova famiglia di MOSFET di potenza in grado di offrire una migliore efficienza e una maggiore velocità di commutazione in applicazioni operanti con tensioni fino a 650 V e correnti fino a 20 A. La nuova serie di dispositivi TK è l'ideale in una vasta gamma di sistemi di alimentazione, nuovi ed emergenti, come i rifasatori (PFC, Power Factor Correction) e gli stabilizzatori delle lampade fluorescenti.     

Per realizzare questi nuovi MOSFET di potenza, Toshiba combina una tecnologia di incapsulamento avanzata con i più recenti processi a semiconduttore Π-MOS VII. Il risultato è una famiglia di dispositivi in grado di offrire prestazioni migliori dal punto di vista della dissipazione termica e del ciclo di accensione e spegnimento, una carica di gate (Qg) e una capacità ridotte, una migliore resistenza di conduzione (RDS(ON)) e un migliore rapporto qualità/prezzo rispetto ai dispositivi di precedente generazione. È inoltre garantita la resistenza all’effetto valanga tipica dei MOSFET.

I MOSFET Toshiba della serie TK sono disponibili in contenitori TO220SIS a chiusura ermetica e nei tradizionali contenitori TO-3P(N). Le dimensioni sono rispettivamente 10 mm x 15 mm x 4,5 mm e 15,9 mm x 20 mm x 5 mm. Tutti i dispositivi TO220SIS utilizzano la tecnica di incapsulamento ‘Warp’ di Toshiba, con connessioni in rame anziché a filo (wire bonding). Questa tecnica riduce la resistenza dei collegamenti interni, migliora la dissipazione termica e permette di gestire correnti più elevate.

I modelli della nuova serie presentano tensioni di 450 V, 500 V, 525 V, 550 V, 600 V e 650 V e correnti di drain da 2 A a 20 A. La RDS(ON) varia da 5 Ω ad appena 0,27 Ω.