MOSFET da 150V a bassa resistenza

I progettisti di applicazioni DC-DC necessitano di soluzioni MOSFET in grado di offrire basse perdite di commutazione e livelli di rumore ridotti con ingombri contenuti. Facendo leva sulle proprie tecnologie avanzate di processo e di packaging, oltre che su una vasta esperienza sistemistica, Fairchild Semiconductor ha realizzato un MOSFET da 150V caratterizzato da bassa RDS(ON) (17mOhm massimo) e da una FOM (Figure of Merit) ottimizzata (17mOhm * 33nCº massimo), due caratteristiche che si traducono in alti livelli di efficienza, bassa dissipazione di corrente e ridotti livelli termici, il tutto in un compatto formato MPL da 5x6mm.

Il dispositivo FDMS86200 è stato progettato facendo ricorso a una tecnologia MOSFET shielded-gate che consente di realizzare design caratterizzati da bassi livelli di ringing e rumore di commutazione, contribuendo a ridurre le emissioni EMI. In mancanza di questa tecnologia proprietaria, un progettista sarebbe costretto a scegliere un MOSFET da 200V, con la conseguenza di raddoppiare il valore di RDS(ON) e abbassare l'efficienza complessiva. Il dispositivo Fairchild FDMS86200 vanta anche un diodo integrato dalle caratteristiche avanzate che ottimizza le performance di commutazione riducendone le perdite.

Fairchild offre il portafoglio di MOSFET più ampio e articolato del settore, all'interno del quale il progettista ha la possibilità di scegliere tra molteplici tecnologie per identificare il MOSFET più adatto al tipo di applicazione da realizzare. La combinazione esclusiva costituita dall'innovazione nelle funzionalità, nei processi e nel packaging e dall'expertise sistemistica globale massimizza l'innovazione a tutto vantaggio dei produttori di dispositivi elettronici. Il portafoglio di MOSFET di Fairchild è caratterizzato da un'ampia gamma di tensioni (20V-1000V) e da sofisticate tecnologie di packaging che spaziano dal formato WL-CSP da 1x1,5mm al formato TO264 da 20x26mm.